UTD436 Todos los transistores

 

UTD436 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTD436
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

UTD436 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  utc
 utd436.pdf pdf_icon

UTD436

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD436 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD436 uses UTCs advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE6045XAG | STB21NM60N | IXFT28N50Q | RU30100R | FTK50N06 | 7N40 | APT5018BLL

 

 
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