UTD436 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UTD436

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm

Encapsulados: TO-252

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UTD436 datasheet

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UTD436

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD436 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD436 uses UTC s advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... UT70N03L, UT7410, UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420, IRF520, UTD454, UTD484, UTF1404, UTL1426, UTM3023, UTT100N05, UTT108N03, UTT120N04