UTD436. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTD436

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для UTD436

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD436 даташит

 ..1. Size:147K  utc
 utd436.pdf pdf_icon

UTD436

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD436 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD436 uses UTC s advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UT70N03L, UT7410, UT75N03, UT85N03, UT90N03, UT9971P, UTD408, UTD420, IRF520, UTD454, UTD484, UTF1404, UTL1426, UTM3023, UTT100N05, UTT108N03, UTT120N04