Справочник MOSFET. UTD436

 

UTD436 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UTD436
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UTD436 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  utc
 utd436.pdf pdf_icon

UTD436

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTD436 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTD436 uses UTCs advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HUF75639S3ST | SVG087R0NT | CEDM8001 | UTT108N03 | CEDM7001 | SWP740D

 

 
Back to Top

 


 
.