10NN15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 10NN15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
10NN15 Datasheet (PDF)
10nn15.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10NN15 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8The UTC 10NN15 is a Dual N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * High switching speed * Low Gate
Otros transistores... K1109 , TF202 , TF212 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 8205A , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z .
History: MMBT7002K | WFY3N02 | APT904R2AN | EY4409 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | AFN6520S
History: MMBT7002K | WFY3N02 | APT904R2AN | EY4409 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | AFN6520S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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