10NN15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 10NN15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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10NN15 datasheet

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10NN15

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10NN15 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 10NN15 is a Dual N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * High switching speed * Low Gate

Otros transistores... K1109, TF202, TF212, TF215, TF218, K4059, 2SK2751, UJ0100, IRFP064N, 12NN10, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z