10NN15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 10NN15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 10NN15

10NN15 Datasheet (PDF)

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10nn15.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10NN15 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8The UTC 10NN15 is a Dual N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * High switching speed * Low Gate

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