10NN15 - аналоги и даташиты транзистора

 

10NN15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 10NN15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для 10NN15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10NN15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  utc
 10nn15.pdf pdf_icon

10NN15

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10NN15 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8The UTC 10NN15 is a Dual N-channel enhancement mode power MOSFET using UTCs perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * High switching speed * Low Gate

Другие MOSFET... K1109 , TF202 , TF212 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , IRFP064N , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z .

History: FIR9N65LG | DAC020N065Z1 | SPB07N60C3 | SPB04N60S5 | SPB03N60S5 | FCB11N60TM

 

 
Back to Top

 


 
.