10NN15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 10NN15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для 10NN15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10NN15 даташит

 ..1. Size:216K  utc
 10nn15.pdf pdf_icon

10NN15

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 10NN15 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 10NN15 is a Dual N-channel enhancement mode power MOSFET using UTC s perfect technology to provide customers with fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * High switching speed * Low Gate

Другие IGBT... K1109, TF202, TF212, TF215, TF218, K4059, 2SK2751, UJ0100, IRFP064N, 12NN10, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z