12NN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 12NN10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 2.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP-8
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12NN10 Datasheet (PDF)
1.1. 12nn10.pdf 
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m? @
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
