12NN10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 12NN10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de 12NN10 MOSFET
12NN10 Datasheet (PDF)
12nn10.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m
Otros transistores... TF202 , TF212 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , IRFP064N , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 .
History: JMTK58N06B | MTD5P06VT4G | JMTK60N04B | TSM3457CX6 | JMSL10130APD | JMTK440P04A
History: JMTK58N06B | MTD5P06VT4G | JMTK60N04B | TSM3457CX6 | JMSL10130APD | JMTK440P04A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
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