12NN10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 12NN10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 12NN10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12NN10 даташит

 ..1. Size:155K  utc
 12nn10.pdf pdf_icon

12NN10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m

Другие IGBT... TF202, TF212, TF215, TF218, K4059, 2SK2751, UJ0100, 10NN15, 2SK2842, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822