Справочник MOSFET. 12NN10

 

12NN10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 12NN10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для 12NN10

 

 

12NN10 Datasheet (PDF)

1.1. 12nn10.pdf Size:155K _utc

12NN10
12NN10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8 The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m

Другие MOSFET... TF202 , TF212 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 2SK2837 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 .

 

 
Back to Top