Справочник MOSFET. 12NN10

 

12NN10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 12NN10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для 12NN10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

12NN10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:155K  utc
 12nn10.pdf pdf_icon

12NN10

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 12NN10 Preliminary Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION SOP-8The UTC 12NN10 is a dual N-Channel enhancement mode power MOSFET, it provides designer with fast switching speed, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES * Low Gate Charge (Typically 10nC) * 2.5A, 100V, 150m

Другие MOSFET... TF202 , TF212 , TF215 , TF218 , K4059 , 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , IRFP064N , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 .

History: NVB082N65S3F | 2SJ400 | HU30N03 | GSM4134W | WMM28N50C4 | AOD418

 

 
Back to Top

 


 
.