UT4232 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT4232
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de UT4232 MOSFET
UT4232 Datasheet (PDF)
ut4232.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4232 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4232 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and to be operated with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=7A
Otros transistores... 2SK2751 , UJ0100 , 10NN15 , 12NN10 , 2N7002ZDW , UD9926 , UM6K1N , UP9971 , IRF840 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 , UT4957 , UT6898 , UT7317 , UTM4953 , RD00HHS1 .
History: SI2306DS | IRLZ24NSPBF | SIZ704DT
History: SI2306DS | IRLZ24NSPBF | SIZ704DT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor