UT4232 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT4232

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de UT4232 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

UT4232 datasheet

 ..1. Size:144K  utc
 ut4232.pdf pdf_icon

UT4232

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4232 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4232 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and to be operated with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=7A

Otros transistores... 2SK2751, UJ0100, 10NN15, 12NN10, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, IRF840, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1