UT4232. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT4232

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT4232

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4232 даташит

 ..1. Size:144K  utc
 ut4232.pdf pdf_icon

UT4232

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4232 Preliminary Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4232 uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and to be operated with low gate voltages. This device is suitable for applications, such as high-side DC/DC conversion, notebook and sever. FEATURES * VDS(V)=30V * ID=7A

Другие IGBT... 2SK2751, UJ0100, 10NN15, 12NN10, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, IRF840, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1