UT4822 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT4822

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UT4822 datasheet

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UT4822

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4822 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4822 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UT4822 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES * 30V/8.5A * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged SYMBOL (7) (8) (5) (6) D1 D2 (2) (4)

Otros transistores... 12NN10, 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, IRF540, UT4957, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2