Справочник MOSFET. UT4822

 

UT4822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT4822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0134 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  utc
 ut4822.pdf pdf_icon

UT4822

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4822 Power MOSFET DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UT4822 can provide excellent RDS(ON) and low gate charge by using advanced trench technology. The UT4822 is suitable for using as a load switch or in PWM applications. FEATURES * 30V/8.5A * Low RDS(ON) * Reliable and Rugged SYMBOL (7) (8) (5) (6)D1 D2(2) (4)

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: UT75N03 | CEB85A3 | BUK7Y19-100E

 

 
Back to Top

 


 
.