UT4957 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: UT4957
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET UT4957

UT4957 Datasheet (PDF)

..1. Size:195K utc
ut4957.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4957 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4957 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

9.1. Size:311K auk
sut495j.pdf

SUT495JEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-363 package Package : SOT-363 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT495J SOT-363 FX : Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Co

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