UT4957 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT4957

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UT4957 datasheet

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UT4957

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4957 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4957 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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UT4957

SUT495J Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-363 package Package SOT-363 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT495J SOT-363 FX Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Co

Otros transistores... 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, 50N06, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1