Справочник MOSFET. UT4957

 

UT4957 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT4957
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4957 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  utc
 ut4957.pdf pdf_icon

UT4957

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4957 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4957 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:311K  auk
 sut495j.pdf pdf_icon

UT4957

SUT495JEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-363 package Package : SOT-363 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT495J SOT-363 FX : Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Co

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CEB730G | CEDM7001 | UTT108N03 | SVG087R0NT | CEDM8001

 

 
Back to Top

 


 
.