UT4957. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT4957

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT4957

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT4957 даташит

 ..1. Size:195K  utc
 ut4957.pdf pdf_icon

UT4957

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT4957 Power MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET DESCRIPTION The UT4957 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 9.1. Size:311K  auk
 sut495j.pdf pdf_icon

UT4957

SUT495J Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-363 package Package SOT-363 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT495J SOT-363 FX Year & Week Code Equivalent circuit & PIN Co

Другие IGBT... 2N7002ZDW, UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, 50N06, UT6898, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1