UT6898 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UT6898

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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UT6898 datasheet

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UT6898

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6898 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT DESCRIPTION The UT6898 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

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UT6898

UT6898G-S08-R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET 20 15 nC 100 % UIS Tested 0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

Otros transistores... UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, IRFP460, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B