UT6898. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UT6898

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UT6898

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT6898 даташит

 ..1. Size:194K  utc
 ut6898.pdf pdf_icon

UT6898

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6898 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT DESCRIPTION The UT6898 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 0.1. Size:754K  cn vbsemi
 ut6898g-s08-r.pdf pdf_icon

UT6898

UT6898G-S08-R www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET 20 15 nC 100 % UIS Tested 0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

Другие IGBT... UD9926, UM6K1N, UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, IRFP460, UT7317, UTM4953, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B