Справочник MOSFET. UT6898

 

UT6898 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: UT6898
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для UT6898

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UT6898 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:194K  utc
 ut6898.pdf pdf_icon

UT6898

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UT6898 Power MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT DESCRIPTION The UT6898 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 0.1. Size:754K  cn vbsemi
 ut6898g-s08-r.pdf pdf_icon

UT6898

UT6898G-S08-Rwww.VBsemi.twDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET20 15 nC 100 % UIS Tested0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... UD9926 , UM6K1N , UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 , UT4957 , IRF640 , UT7317 , UTM4953 , RD00HHS1 , RD00HVS1 , RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B .

 

 
Back to Top

 


 
.