UTM4953 Todos los transistores

 

UTM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: UTM4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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UTM4953 Datasheet (PDF)

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UTM4953

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 0.1. Size:175K  utc
 utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf pdf_icon

UTM4953

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Otros transistores... UP9971 , UT4232 , UT4812 , UT4812Z , UT4822 , UT4957 , UT6898 , UT7317 , IRFP460 , RD00HHS1 , RD00HVS1 , RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 .

History: WML11N80M3

 

 
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