UTM4953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UTM4953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для UTM4953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

UTM4953 даташит

 ..1. Size:159K  utc
 utm4953.pdf pdf_icon

UTM4953

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Preliminary Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

 0.1. Size:175K  utc
 utm4953l-s08-r utm4953g-s08-r.pdf pdf_icon

UTM4953

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTM4953 Power MOSFET DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DESCRIPTION The UTM4953 uses advanced UTC technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate SOP-8 voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)

Другие IGBT... UP9971, UT4232, UT4812, UT4812Z, UT4822, UT4957, UT6898, UT7317, IRF640, RD00HHS1, RD00HVS1, RD01MUS1, RD01MUS2, RD02MUS1, RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1