RD07MVS1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RD07MVS1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Paquete / Cubierta: SLP
Búsqueda de reemplazo de RD07MVS1B MOSFET
RD07MVS1B Datasheet (PDF)
No PDF!
Otros transistores... RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , AON6414A , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 .
History: AFP7617WS
History: AFP7617WS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121