RD07MVS1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RD07MVS1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Тип корпуса: SLP
Аналог (замена) для RD07MVS1B
RD07MVS1B Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие MOSFET... RD01MUS1 , RD01MUS2 , RD02MUS1 , RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , IRFP250N , RD07MVS2 , RD09MUP2 , RD100HHF1 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 .
History: IRFB4610PBF | AM7363P
History: IRFB4610PBF | AM7363P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121