RD100HHF1 Todos los transistores

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RD100HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RD100HHF1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 176.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Empaquetado / Estuche: Ceramic_Large

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RD100HHF1 Datasheet (PDF)

1.1. rd100hhf1.pdf Size:179K _mitsubishi

RD100HHF1
RD100HHF1

MITSUBISHI RF POWER MOS FET ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS RD100HHF1 Silicon MOSFET Power Transistor 30MHz,100W OUTLINE DRAWING DESCRIPTION 25.0+/-0.3 RD100HHF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications. 7.0+/-0.5 11.0+/-0.3 4-C2 1 FEATURES •High power and High Gain: Pout>100W, Gp>11.5dB @V

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