RD100HHF1 Todos los transistores

 

RD100HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD100HHF1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: CERAMIC LARGE
 

 Búsqueda de reemplazo de RD100HHF1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RD100HHF1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:799K  blue-rocket-elect
 brd100n03.pdf pdf_icon

RD100HHF1

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Otros transistores... RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , 2SK3878 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 .

History: SQD50N30-4M0L | TPU60R840C | PM555BZ

 

 
Back to Top

 


 
.