RD100HHF1 Todos los transistores

 

RD100HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD100HHF1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: CERAMIC LARGE
 

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RD100HHF1 Datasheet (PDF)

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RD100HHF1

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

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History: SVSP65R050P7HD4 | MDHT4N20YURH | DMTH8012LPSW | DMTH6010LPSQ | SVSP60R090FJDHD4 | DMTH6010LK3 | IRLR8729PBF

 

 
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