RD100HHF1 Todos los transistores

 

RD100HHF1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RD100HHF1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Paquete / Cubierta: CERAMIC LARGE

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET RD100HHF1

 

RD100HHF1 Datasheet (PDF)

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brd100n03.pdf

RD100HHF1
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