Справочник MOSFET. RD100HHF1

 

RD100HHF1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RD100HHF1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Тип корпуса: CERAMIC LARGE
 

 Аналог (замена) для RD100HHF1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD100HHF1 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:799K  blue-rocket-elect
 brd100n03.pdf pdf_icon

RD100HHF1

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие MOSFET... RD02MUS1B , RD02MUS2 , RD05MMP1 , RD06HHF1 , RD07MVS1 , RD07MVS1B , RD07MVS2 , RD09MUP2 , 2SK3878 , RD12MVP1 , RD15HVF1 , RD16HHF1 , RD30HVF1 , RD45HMF1 , RD60HUF1 , RD70HHF1 , RD70HVF1 .

History: FQPF12N65C | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.