RD100HHF1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RD100HHF1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Тип корпуса: CERAMIC LARGE

Аналог (замена) для RD100HHF1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RD100HHF1 даташит

 9.1. Size:799K  blue-rocket-elect
 brd100n03.pdf pdf_icon

RD100HHF1

BRD100N03 Rev.A .Jun. -2017 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effici

Другие IGBT... RD02MUS1B, RD02MUS2, RD05MMP1, RD06HHF1, RD07MVS1, RD07MVS1B, RD07MVS2, RD09MUP2, 8205A, RD12MVP1, RD15HVF1, RD16HHF1, RD30HVF1, RD45HMF1, RD60HUF1, RD70HHF1, RD70HVF1