SIF1N65C Todos los transistores

 

SIF1N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIF1N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251 TO-251S TO-92 TO-252
 

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SIF1N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  sisemi
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SIF1N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N65CN- MOS / N-CHANN

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SIF1N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N60CN- MOS / N-CHANN

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History: PSMN013-100YSE | SST113 | TK560A65Y | SMG2391P | TPC8001 | WMB90N02TS | IRFS141

 

 
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