Справочник MOSFET. SIF1N65C

 

SIF1N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SIF1N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO-251 TO-251S TO-92 TO-252
 

 Аналог (замена) для SIF1N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIF1N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:404K  sisemi
 sif1n65c.pdf pdf_icon

SIF1N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N65CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N65CN- MOS / N-CHANN

 8.1. Size:404K  sisemi
 sif1n60c.pdf pdf_icon

SIF1N65C

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N60CN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF1N60CN- MOS / N-CHANN

Другие MOSFET... SIF10N70C , SIF110N060 , SIF12N60C , SIF12N65C , SIF13N50C , SIF160N040 , SIF18N65C , SIF1N60C , RFP50N06 , SIF2N60C , SIF2N60D , SIF2N65C , SIF2N65D , SIF2N70D , SIF4N60C , SIF4N60D , SIF4N65C .

History: SST4416 | BRD100N03 | SI4913DY | SHD239602 | AMA930N

 

 
Back to Top

 


 
.