MBNP2026G6 Todos los transistores

 

MBNP2026G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MBNP2026G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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MBNP2026G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  cystek
 mbnp2026g6.pdf pdf_icon

MBNP2026G6

Spec. No. : C197G6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2026G6 Description The MBNP2026G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 8.1. Size:316K  cystek
 mbnp2074g6.pdf pdf_icon

MBNP2026G6

Spec. No. : C196G6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2074G6 Description The MBNP2074G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

Otros transistores... 2SK3018S3 , 2SK3019C3 , 2SK3541Y3 , BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , IRF520 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 .

History: STH60N10FI | IRLU2703

 

 
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