MBNP2026G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MBNP2026G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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MBNP2026G6 Datasheet (PDF)

..1. Size:317K cystek
mbnp2026g6.pdf

Spec. No. : C197G6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2026G6 Description The MBNP2026G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

8.1. Size:316K cystek
mbnp2074g6.pdf

Spec. No. : C196G6 Issued Date : 2011.01.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2074G6 Description The MBNP2074G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

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Liste

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