MBNP2026G6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBNP2026G6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для MBNP2026G6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MBNP2026G6 даташит

 ..1. Size:317K  cystek
 mbnp2026g6.pdf pdf_icon

MBNP2026G6

Spec. No. C197G6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2026G6 Description The MBNP2026G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

 8.1. Size:316K  cystek
 mbnp2074g6.pdf pdf_icon

MBNP2026G6

Spec. No. C196G6 Issued Date 2011.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N- Channel Enhancement mode MOSFET AND PNP BJT Complex Device MBNP2074G6 Description The MBNP2074G6 consists of a N-channel enhancement-mode MOSFET and a PNP BJT in a single TSOP-6 package, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device

Другие IGBT... 2SK3018S3, 2SK3019C3, 2SK3541Y3, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, 75N75, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6