MEN09N03BJ3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MEN09N03BJ3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 176 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MEN09N03BJ3
MEN09N03BJ3 Datasheet (PDF)
men09n03bj3.pdf
Spec. No. : C430J3 Issued Date : 2008.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMEN09N03BJ3 ID 50ARDSON(MAX) 9mFeatures VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .