MEN09N03BJ3 Todos los transistores

 

MEN09N03BJ3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MEN09N03BJ3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MEN09N03BJ3 Datasheet (PDF)

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MEN09N03BJ3

Spec. No. : C430J3 Issued Date : 2008.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMEN09N03BJ3 ID 50ARDSON(MAX) 9mFeatures VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS

Otros transistores... 2SK3541Y3 , BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , IRF730 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 .

History: MTH8N40 | SI7113DN | IRL510PBF

 

 
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