MEN09N03BJ3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MEN09N03BJ3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MEN09N03BJ3 datasheet

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MEN09N03BJ3

Spec. No. C430J3 Issued Date 2008.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MEN09N03BJ3 ID 50A RDSON(MAX) 9m Features VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS

Otros transistores... 2SK3541Y3, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, IRFB31N20D, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3