MEN09N03BJ3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MEN09N03BJ3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 176 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MEN09N03BJ3
MEN09N03BJ3 Datasheet (PDF)
..1. Size:312K cystek
men09n03bj3.pdf
men09n03bj3.pdf
Spec. No. : C430J3 Issued Date : 2008.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMEN09N03BJ3 ID 50ARDSON(MAX) 9mFeatures VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
