Справочник MOSFET. MEN09N03BJ3

 

MEN09N03BJ3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEN09N03BJ3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MEN09N03BJ3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  cystek
 men09n03bj3.pdf pdf_icon

MEN09N03BJ3

Spec. No. : C430J3 Issued Date : 2008.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VMEN09N03BJ3 ID 50ARDSON(MAX) 9mFeatures VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RQ1E100XN | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | SM7304ESKP | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.