MEN09N03BJ3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEN09N03BJ3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MEN09N03BJ3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEN09N03BJ3 даташит

 ..1. Size:312K  cystek
 men09n03bj3.pdf pdf_icon

MEN09N03BJ3

Spec. No. C430J3 Issued Date 2008.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V MEN09N03BJ3 ID 50A RDSON(MAX) 9m Features VDS=30V, ID=50A, RDS(ON)=9m Low Gate Charge Repetitive Avalanche Rated Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic RoHS

Другие IGBT... 2SK3541Y3, BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, IRFB31N20D, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3