MEP4435Q8 Todos los transistores

 

MEP4435Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MEP4435Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MEP4435Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mep4435q8.pdf pdf_icon

MEP4435Q8

Spec. No. : C391Q8-A Issued Date : 2008.07.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMEP4435Q8 ID -13A9.3m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE

Otros transistores... BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , IRF1405 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 .

History: 2P829E9 | FCB11N60FTM | WVM15N40 | RW1A020ZP | WMK037N10HGS | 2SK2009 | MDS3753EURH

 

 
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