MEP4435Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MEP4435Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MEP4435Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:392K cystek
mep4435q8.pdf

Spec. No. : C391Q8-A Issued Date : 2008.07.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMEP4435Q8 ID -13A9.3m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: