MEP4435Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MEP4435Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MEP4435Q8 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MEP4435Q8 datasheet

 ..1. Size:392K  cystek
 mep4435q8.pdf pdf_icon

MEP4435Q8

Spec. No. C391Q8-A Issued Date 2008.07.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MEP4435Q8 ID -13A 9.3m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE

Otros transistores... BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, STP65NF06, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3