MEP4435Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEP4435Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MEP4435Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEP4435Q8 даташит

 ..1. Size:392K  cystek
 mep4435q8.pdf pdf_icon

MEP4435Q8

Spec. No. C391Q8-A Issued Date 2008.07.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.05 Page No. 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MEP4435Q8 ID -13A 9.3m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE

Другие IGBT... BSS123N3, BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, STP65NF06, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3