MEP4435Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MEP4435Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MEP4435Q8
MEP4435Q8 Datasheet (PDF)
mep4435q8.pdf

Spec. No. : C391Q8-A Issued Date : 2008.07.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMEP4435Q8 ID -13A9.3m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE
Другие MOSFET... BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , IRFZ48N , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 .
History: CEPF630 | IRFR9024PBF | HSM4103
History: CEPF630 | IRFR9024PBF | HSM4103



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet