Справочник MOSFET. MEP4435Q8

 

MEP4435Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEP4435Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MEP4435Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEP4435Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cystek
 mep4435q8.pdf pdf_icon

MEP4435Q8

Spec. No. : C391Q8-A Issued Date : 2008.07.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.05 Page No. : 1/9 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMEP4435Q8 ID -13A9.3m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-10A 14m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-5V, ID=-7A 15m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MEP4435Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFE

Другие MOSFET... BSS123N3 , BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , IRFZ48N , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 .

History: NP80N04NHE | NP90N04MUH | HSP4024A | CEB02N65G | STD110N8F6 | 2SK3687-01MR | IPD95R1K2P7

 

 
Back to Top

 


 
.