MSFA0M02X8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSFA0M02X8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 386 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2

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MSFA0M02X8 Datasheet (PDF)

..1. Size:233K cystek
msfa0m02x8.pdf

Spec. No. : C724X8 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode MSFA0M02X8 MOSFET product Summary Schottky Product Summary BVDSS -20V VKA 20VRDSON(MAX) 100m VF 0.46VIF 1AID -3AFeatures Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

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History: IPD70R900P7S | SMNY2Z30

Liste

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