Справочник MOSFET. MSFA0M02X8

 

MSFA0M02X8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSFA0M02X8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSFA0M02X8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  cystek
 msfa0m02x8.pdf pdf_icon

MSFA0M02X8

Spec. No. : C724X8 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode MSFA0M02X8 MOSFET product Summary Schottky Product Summary BVDSS -20V VKA 20VRDSON(MAX) 100m VF 0.46VIF 1AID -3AFeatures Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FDI33N25 | AP2306CGN-HF | PM567EA | SI7439DP | NTTS2P03R2 | SDF9N100JED-S | FDPF51N25RDTU

 

 
Back to Top

 


 
.