Справочник MOSFET. MSFA0M02X8

 

MSFA0M02X8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSFA0M02X8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2

 Аналог (замена) для MSFA0M02X8

 

 

MSFA0M02X8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  cystek
 msfa0m02x8.pdf

MSFA0M02X8 MSFA0M02X8

Spec. No. : C724X8 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode MSFA0M02X8 MOSFET product Summary Schottky Product Summary BVDSS -20V VKA 20VRDSON(MAX) 100m VF 0.46VIF 1AID -3AFeatures Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top