MSFA0M02X8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSFA0M02X8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для MSFA0M02X8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSFA0M02X8 даташит

 ..1. Size:233K  cystek
 msfa0m02x8.pdf pdf_icon

MSFA0M02X8

Spec. No. C724X8 Issued Date 2009.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode MSFA0M02X8 MOSFET product Summary Schottky Product Summary BVDSS -20V VKA 20V RDSON(MAX) 100m VF 0.46V IF 1A ID -3A Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

Другие IGBT... BSS138C3, BSS84KS3, BSS84N3, BSS84S6R, MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, IRF1405, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3