Справочник MOSFET. MSFA0M02X8

 

MSFA0M02X8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSFA0M02X8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для MSFA0M02X8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSFA0M02X8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  cystek
 msfa0m02x8.pdf pdf_icon

MSFA0M02X8

Spec. No. : C724X8 Issued Date : 2009.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode MSFA0M02X8 MOSFET product Summary Schottky Product Summary BVDSS -20V VKA 20VRDSON(MAX) 100m VF 0.46VIF 1AID -3AFeatures Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed

Другие MOSFET... BSS138C3 , BSS84KS3 , BSS84N3 , BSS84S6R , MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , NCEP15T14 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 .

History: NDP606A | CS4N60 | FQAF44N10 | NTD32N06LG | BL10N70-A | STD11N65M2 | ME3483

 

 
Back to Top

 


 
.