MTA17A02CDN6 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA17A02CDN6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 670 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0161 Ohm

Encapsulados: SOT-26

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MTA17A02CDN6 datasheet

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MTA17A02CDN6

Spec. No. C930N6 Issued Date 2013.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20V ID VGS=4.5V 6A 16.1m VGS=4.5V, ID=6A Features VGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.) VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

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MTA17A02CDN6

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