MTA17A02CDN6 Todos los transistores

 

MTA17A02CDN6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTA17A02CDN6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 670 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0161 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTA17A02CDN6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  cystek
 mta17a02cdn6.pdf pdf_icon

MTA17A02CDN6

Spec. No. : C930N6 Issued Date : 2013.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20VID VGS=4.5V 6A16.1m VGS=4.5V, ID=6A FeaturesVGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

 4.1. Size:374K  cystek
 mta17a02cdv8.pdf pdf_icon

MTA17A02CDN6

Spec. No. : C930V8 Issued Date : 2014.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA17A02CDV8 ID VGS=4.5V 6.6A19.5m VGS=4.5V, ID=6A VGS=4.0V, ID=6A 20.0m RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 21.7 m Features VGS=2.5V, ID=6A 23.4 m Simple drive requirement Low gate charge

Otros transistores... MBNP2026G6 , MBNP2074G6 , MEN09N03BJ3 , MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , IRFZ48N , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , MTA65N20H8 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 .

History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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