MTA17A02CDN6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA17A02CDN6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 670 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0161 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-26

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MTA17A02CDN6 Datasheet (PDF)

..1. Size:350K cystek
mta17a02cdn6.pdf

Spec. No. : C930N6 Issued Date : 2013.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20VID VGS=4.5V 6A16.1m VGS=4.5V, ID=6A FeaturesVGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

4.1. Size:374K cystek
mta17a02cdv8.pdf

Spec. No. : C930V8 Issued Date : 2014.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA17A02CDV8 ID VGS=4.5V 6.6A19.5m VGS=4.5V, ID=6A VGS=4.0V, ID=6A 20.0m RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 21.7 m Features VGS=2.5V, ID=6A 23.4 m Simple drive requirement Low gate charge

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 25N10L-TF2-T

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: