MTA17A02CDN6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA17A02CDN6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 670 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0161 Ohm

Тип корпуса: SOT-26

Аналог (замена) для MTA17A02CDN6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA17A02CDN6 даташит

 ..1. Size:350K  cystek
 mta17a02cdn6.pdf pdf_icon

MTA17A02CDN6

Spec. No. C930N6 Issued Date 2013.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20V ID VGS=4.5V 6A 16.1m VGS=4.5V, ID=6A Features VGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.) VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

 4.1. Size:374K  cystek
 mta17a02cdv8.pdf pdf_icon

MTA17A02CDN6

Другие IGBT... MBNP2026G6, MBNP2074G6, MEN09N03BJ3, MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, IRF830, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, MTA90N03ZN3, MTB02N03H8