Справочник MOSFET. MTA17A02CDN6

 

MTA17A02CDN6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA17A02CDN6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
   Время нарастания (tr): 670 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0161 Ohm
   Тип корпуса: SOT-26

 Аналог (замена) для MTA17A02CDN6

 

 

MTA17A02CDN6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  cystek
 mta17a02cdn6.pdf

MTA17A02CDN6 MTA17A02CDN6

Spec. No. : C930N6 Issued Date : 2013.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA17A02CDN6 BVDSS 20VID VGS=4.5V 6A16.1m VGS=4.5V, ID=6A FeaturesVGS=4.0V, ID=6A 16.7m Simple drive requirement RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 18.4 m Low on-resistance VGS=2.5V, ID=6A 20.2 m Small package

 4.1. Size:374K  cystek
 mta17a02cdv8.pdf

MTA17A02CDN6 MTA17A02CDN6

Spec. No. : C930V8 Issued Date : 2014.05.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Common Drain Dual N -Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA17A02CDV8 ID VGS=4.5V 6.6A19.5m VGS=4.5V, ID=6A VGS=4.0V, ID=6A 20.0m RDSON (TYP.)VGS=3.0V, ID=6A 21.7 m Features VGS=2.5V, ID=6A 23.4 m Simple drive requirement Low gate charge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top