MTA340N02N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA340N02N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.299 Ohm

Encapsulados: SOT-23

 Búsqueda de reemplazo de MTA340N02N3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MTA340N02N3 datasheet

 ..1. Size:314K  cystek
mta340n02n3.pdf pdf_icon

MTA340N02N3

Spec. No. C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.10.08 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTA340N02N3 ID 820mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

 5.1. Size:554K  cystek
mta340n02kc3.pdf pdf_icon

MTA340N02N3

Spec. No. C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2014.08.22 Revised Date Page No. 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m (typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

Otros transistores... MEP4435Q8, MSFA0M02X8, MTA06N03J3, MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, IRFB7545, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, MTA90N03ZN3, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8, MTB030N04N3