Справочник MOSFET. MTA340N02N3

 

MTA340N02N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTA340N02N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MTA340N02N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA340N02N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  cystek
 mta340n02n3.pdf pdf_icon

MTA340N02N3

Spec. No. : C915N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2013.10.08 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA340N02N3 ID 820mARDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 541m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free lead platin

 5.1. Size:554K  cystek
 mta340n02kc3.pdf pdf_icon

MTA340N02N3

Spec. No. : C915C3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2014.08.22 Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA340N02KC3 BVDSS 20V ID @VGS=4.5V 700mA RDSON@VGS=4.5V, ID=650mA 299m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=500mA 550m(typ) Features RDSON@VGS=1.8V,ID=200mA 1.05 (typ) Simple drive requirement Small package outline Pb

Другие MOSFET... MEP4435Q8 , MSFA0M02X8 , MTA06N03J3 , MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , 8N60 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , MTA65N20H8 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 , MTB02N03J3 , MTB02N03Q8 , MTB030N04N3 .

History: FCH130N60 | ME2614

 

 
Back to Top

 


 
.