MTA55N02N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA55N02N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTA55N02N3

MTA55N02N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:305K cystek
mta55n02n3.pdf

Spec. No. : C323N3 Issued Date : 2013.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTA55N02N3 ID 3.6A29m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=4.5V, ID=3.6A 39m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=2.5V, ID=3.1A Features Simple drive requirement Small package outline Capable of 2.5V gate drive Pb-free lead platin

8.1. Size:367K cystek
mta55n20j3.pdf

Spec. No. : C976J3 Issued Date : 2014.09.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA55N20J3 ID@VGS=10V 25AVGS=10V, ID=11A 52m RDSON(TYP) VGS=4.5V, ID=5A 52m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-252(DPAK)

9.1. Size:46K diodes
fmmta55 fmmta56.pdf

SOT SI I O A A TA DI O T A SISTO S TA 6ISS A A Y 6 T i I T I D T I T T T T SOT A SO T A I ATI S T T T IT II V I V V8 II i V I V V8 i V I V V i II I Di i i T i T T T T I A HA A T ISTI S a Ta T T T I I IT DITI II i V 8 V I I V I i V V I I V I II i I V V II I V 8 V I V V I i I V V T i I V V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: