MTA65N20H8 Todos los transistores

 

MTA65N20H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTA65N20H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 161 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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MTA65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cystek
 mta65n20h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. : C866H8 Issued Date : 2014.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA65N20H8ID @VGS=10V 24A74m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 74m VGS=5V, ID=5A Description The MTA65N20H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

 8.1. Size:384K  cystek
 mta65n15h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2014.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTA65N15H8ID @VGS=10V 20A60m VGS=10V, ID=15A 59m RDSON(TYP) VGS=5V, ID=10A 60m VGS=3V, ID=3A Description The MTA65N15H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinati

Otros transistores... MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , AO3407 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 , MTB02N03J3 , MTB02N03Q8 , MTB030N04N3 , MTB032P06V8 , MTB03N03H8 , MTB04N03AQ8 .

History: UT2302G-AE3 | 2SK3685-01 | STD7N52DK3 | STW6N120K3 | STW6N95K5 | 2SK3992-ZK | 2SK2544

 

 
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