Справочник MOSFET. MTA65N20H8

 

MTA65N20H8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTA65N20H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для MTA65N20H8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cystek
 mta65n20h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. : C866H8 Issued Date : 2014.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA65N20H8ID @VGS=10V 24A74m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 74m VGS=5V, ID=5A Description The MTA65N20H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

 8.1. Size:384K  cystek
 mta65n15h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2014.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTA65N15H8ID @VGS=10V 20A60m VGS=10V, ID=15A 59m RDSON(TYP) VGS=5V, ID=10A 60m VGS=3V, ID=3A Description The MTA65N15H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinati

Другие MOSFET... MTA06N03NJ3 , MTA090P02J3 , MTA17A02CDN6 , MTA17A02CDV8 , MTA25N02J3 , MTA340N02N3 , MTA55N02N3 , MTA65N15H8 , 2SK3918 , MTA90N03ZN3 , MTB02N03H8 , MTB02N03J3 , MTB02N03Q8 , MTB030N04N3 , MTB032P06V8 , MTB03N03H8 , MTB04N03AQ8 .

History: STM8500A | SSF5N60G | KMB054N40DC | STD11NM60N | FDBL9403F085 | FHF15N60A | NCE6008AS

 

 
Back to Top

 


 
.