Справочник MOSFET. MTA65N20H8

 

MTA65N20H8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTA65N20H8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для MTA65N20H8

 

 

MTA65N20H8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cystek
 mta65n20h8.pdf

MTA65N20H8 MTA65N20H8

Spec. No. : C866H8 Issued Date : 2014.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200VMTA65N20H8ID @VGS=10V 24A74m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 74m VGS=5V, ID=5A Description The MTA65N20H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

 8.1. Size:384K  cystek
 mta65n15h8.pdf

MTA65N20H8 MTA65N20H8

Spec. No. : C739H8 Issued Date : 2014.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTA65N15H8ID @VGS=10V 20A60m VGS=10V, ID=15A 59m RDSON(TYP) VGS=5V, ID=10A 60m VGS=3V, ID=3A Description The MTA65N15H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinati

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top