MTA65N20H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA65N20H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 161 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTA65N20H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA65N20H8 даташит

 ..1. Size:385K  cystek
 mta65n20h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. C866H8 Issued Date 2014.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 200V MTA65N20H8 ID @VGS=10V 24A 74m VGS=10V, ID=11A RDSON(TYP) 74m VGS=5V, ID=5A Description The MTA65N20H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, r

 8.1. Size:384K  cystek
 mta65n15h8.pdf pdf_icon

MTA65N20H8

Spec. No. C739H8 Issued Date 2014.02.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTA65N15H8 ID @VGS=10V 20A 60m VGS=10V, ID=15A 59m RDSON(TYP) VGS=5V, ID=10A 60m VGS=3V, ID=3A Description The MTA65N15H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinati

Другие IGBT... MTA06N03NJ3, MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, EMB04N03H, MTA90N03ZN3, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8, MTB030N04N3, MTB032P06V8, MTB03N03H8, MTB04N03AQ8