MTA90N03ZN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTA90N03ZN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTA90N03ZN3 Datasheet (PDF)

..1. Size:308K cystek
mta90n03zn3.pdf

Spec. No. : C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.07.04 Revised Date : 2012.12.28 Page No. : 1/8 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA90N03ZN3 BVDSS 30VID 3.2ARDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 130m(typ) Features RDSON@VGS=3V,ID=2.5A 144m(typ) Simple drive requirement. Small package outline. ESD protected. Pb-free lead plating and halogen-

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Liste

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