MTA90N03ZN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTA90N03ZN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTA90N03ZN3 datasheet

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MTA90N03ZN3

Spec. No. C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.07.04 Revised Date 2012.12.28 Page No. 1/8 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA90N03ZN3 BVDSS 30V ID 3.2A RDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 130m (typ) Features RDSON@VGS=3V,ID=2.5A 144m (typ) Simple drive requirement. Small package outline. ESD protected. Pb-free lead plating and halogen-

Otros transistores... MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, RU7088R, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8, MTB030N04N3, MTB032P06V8, MTB03N03H8, MTB04N03AQ8, MTB04N03E3