MTA90N03ZN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTA90N03ZN3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTA90N03ZN3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTA90N03ZN3 даташит

 ..1. Size:308K  cystek
 mta90n03zn3.pdf pdf_icon

MTA90N03ZN3

Spec. No. C831N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.07.04 Revised Date 2012.12.28 Page No. 1/8 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET MTA90N03ZN3 BVDSS 30V ID 3.2A RDSON@VGS=4.5V, ID=2.5A 130m (typ) Features RDSON@VGS=3V,ID=2.5A 144m (typ) Simple drive requirement. Small package outline. ESD protected. Pb-free lead plating and halogen-

Другие IGBT... MTA090P02J3, MTA17A02CDN6, MTA17A02CDV8, MTA25N02J3, MTA340N02N3, MTA55N02N3, MTA65N15H8, MTA65N20H8, RU7088R, MTB02N03H8, MTB02N03J3, MTB02N03Q8, MTB030N04N3, MTB032P06V8, MTB03N03H8, MTB04N03AQ8, MTB04N03E3