FSF055R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FSF055R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 25 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO254AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FSF055R
FSF055R Datasheet (PDF)
4.1. fsf055.pdf 
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FSF055D, FSF055R 25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description • 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
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