FSF055R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSF055R  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO254AA

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FSF055R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSF055R datasheet

 8.1. Size:54K  intersil
 fsf055.pdf pdf_icon

FSF055R

FSF055D, FSF055R 25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Otros transistores... FRX130H2, FRX130H3, FRX130H4, FRX130R1, FRX130R2, FRX130R3, FRX130R4, FSF055D, AO4407, FSF150D, FSF150R, FSF250D, FSF250R, FSF254D, FSF254R, FSF450D, FSF450R