FSF055R Todos los transistores

 

FSF055R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSF055R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO254AA

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FSF055R Datasheet (PDF)

4.1. fsf055.pdf Size:54K _intersil

FSF055R
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FSF055D, FSF055R 25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description • 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020Ω The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- • Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

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