FSF055R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FSF055R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
FSF055R Datasheet (PDF)
fsf055.pdf
FSF055D, FSF055R25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
Другие MOSFET... FRX130H2 , FRX130H3 , FRX130H4 , FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , IRFB7545 , FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918