FSF055R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSF055R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSF055R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF055R даташит

 8.1. Size:54K  intersil
 fsf055.pdf pdf_icon

FSF055R

FSF055D, FSF055R 25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs June 1998 Features Description 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S

Другие IGBT... FRX130H2, FRX130H3, FRX130H4, FRX130R1, FRX130R2, FRX130R3, FRX130R4, FSF055D, EMB04N03H, FSF150D, FSF150R, FSF250D, FSF250R, FSF254D, FSF254R, FSF450D, FSF450R