FSF055R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FSF055R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для FSF055R
FSF055R Datasheet (PDF)
fsf055.pdf

FSF055D, FSF055R25A, 60V, 0.020 Ohm, Rad Hard,SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETsJune 1998Features Description 25A, 60V, rDS(ON) = 0.020 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (S
Другие MOSFET... FRX130H2 , FRX130H3 , FRX130H4 , FRX130R1 , FRX130R2 , FRX130R3 , FRX130R4 , FSF055D , AO3407 , FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R .
History: RJK0854DPB | QM3002M3 | RRS110N03TB1 | HRLD370N10K | LTP70N06P | AP9960GM-HF | HGA046NE6A
History: RJK0854DPB | QM3002M3 | RRS110N03TB1 | HRLD370N10K | LTP70N06P | AP9960GM-HF | HGA046NE6A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546