MTB14A03V8 Todos los transistores

 

MTB14A03V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB14A03V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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MTB14A03V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  cystek
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MTB14A03V8

Spec. No. : C397V8 Issued Date : 2013.08.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.26 Page No. : 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTB14A03V8ID 8.5A11.2m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 16m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB14A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the desi

 9.1. Size:171K  cystek
 mtb14p03q8.pdf pdf_icon

MTB14A03V8

Spec. No. : C452Q8 Issued Date : 2009.05.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30VMTB14P03Q8 ID -12ARDSON(max) 14m Description The MTB14P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

Otros transistores... MTB110P10J3 , MTB11N03Q8 , MTB12N03J3 , MTB12N03Q8 , MTB12N04J3 , MTB12P04J3 , MTB12P06J3 , MTB13N03Q8 , AO3400 , MTB14P03Q8 , MTB15P04J3 , MTB16P04J3 , MTB17A03Q8 , MTB17A03V8 , MTB17N03Q8 , MTB1D7N03ATH8 , MTB1D7N03E3 .

History: NCE20P85GU | ZXMC3F31DN8 | STB35N65M5 | IRFB4410

 

 
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