MTB14A03V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB14A03V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0112 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTB14A03V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB14A03V8 даташит

 ..1. Size:351K  cystek
 mtb14a03v8.pdf pdf_icon

MTB14A03V8

Spec. No. C397V8 Issued Date 2013.08.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.26 Page No. 1/9 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTB14A03V8 ID 8.5A 11.2m VGS=10V, ID=6A RDSON(TYP) 16m VGS=4.5V, ID=4A Description The MTB14A03V8 consists of two N-channel enhancement-mode MOSFETs in a DFN3 3 package, providing the desi

 9.1. Size:171K  cystek
 mtb14p03q8.pdf pdf_icon

MTB14A03V8

Spec. No. C452Q8 Issued Date 2009.05.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTB14P03Q8 ID -12A RDSON(max) 14m Description The MTB14P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost

Другие IGBT... MTB110P10J3, MTB11N03Q8, MTB12N03J3, MTB12N03Q8, MTB12N04J3, MTB12P04J3, MTB12P06J3, MTB13N03Q8, AO3401, MTB14P03Q8, MTB15P04J3, MTB16P04J3, MTB17A03Q8, MTB17A03V8, MTB17N03Q8, MTB1D7N03ATH8, MTB1D7N03E3