MTB1K6N06KS6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB1K6N06KS6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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MTB1K6N06KS6R datasheet

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MTB1K6N06KS6R

Spec. No. C974S6R Issued Date 2014.07.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 10 200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode MTB1K6N06KS6R Features N-MOS with ESD Gate Protection N-MOS with Low On-Resistance Low VF Schottky Diode Low Static, Switching and Conduction Losses Pb-free lead plating and halogen-fr

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