MTB1K6N06KS6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB1K6N06KS6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для MTB1K6N06KS6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB1K6N06KS6R даташит

 ..1. Size:291K  cystek
 mtb1k6n06ks6r.pdf pdf_icon

MTB1K6N06KS6R

Spec. No. C974S6R Issued Date 2014.07.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 10 200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode MTB1K6N06KS6R Features N-MOS with ESD Gate Protection N-MOS with Low On-Resistance Low VF Schottky Diode Low Static, Switching and Conduction Losses Pb-free lead plating and halogen-fr

Другие IGBT... MTB14P03Q8, MTB15P04J3, MTB16P04J3, MTB17A03Q8, MTB17A03V8, MTB17N03Q8, MTB1D7N03ATH8, MTB1D7N03E3, 12N60, MTB20A03Q8, MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, MTB22N04J3, MTB23C04J4