Справочник MOSFET. MTB1K6N06KS6R

 

MTB1K6N06KS6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB1K6N06KS6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для MTB1K6N06KS6R

 

 

MTB1K6N06KS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  cystek
 mtb1k6n06ks6r.pdf

MTB1K6N06KS6R MTB1K6N06KS6R

Spec. No. : C974S6R Issued Date : 2014.07.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode MTB1K6N06KS6R Features N-MOS with ESD Gate Protection N-MOS with Low On-Resistance Low VF Schottky Diode Low Static, Switching and Conduction Losses Pb-free lead plating and halogen-fr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: JMTQ35N06A | KDB5690

 

 
Back to Top