MTB1K6N06KS6R - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB1K6N06KS6R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB1K6N06KS6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MTB1K6N06KS6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB1K6N06KS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  cystek
 mtb1k6n06ks6r.pdf pdf_icon

MTB1K6N06KS6R

Spec. No. : C974S6R Issued Date : 2014.07.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 10 200mA Sychronous Rectifier featuring N-MOSFET and Schottky Diode MTB1K6N06KS6R Features N-MOS with ESD Gate Protection N-MOS with Low On-Resistance Low VF Schottky Diode Low Static, Switching and Conduction Losses Pb-free lead plating and halogen-fr

Другие MOSFET... MTB14P03Q8 , MTB15P04J3 , MTB16P04J3 , MTB17A03Q8 , MTB17A03V8 , MTB17N03Q8 , MTB1D7N03ATH8 , MTB1D7N03E3 , 12N60 , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 , MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , MTB22N04J3 , MTB23C04J4 .

History: OSG07N65DF | STP24NM60N | OSG60R580DT3F | STP23NM60ND | MTB6D0N03ATV8 | BUK9907-55ATE | NP100N04NDH

 

 
Back to Top

 


 
.