MTB22N04J3 Todos los transistores

 

MTB22N04J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB22N04J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTB22N04J3 Datasheet (PDF)

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MTB22N04J3

Spec. No. : C594J3 Issued Date : 2010.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB22N04J3 ID 15A22m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB22N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

Otros transistores... MTB1D7N03E3 , MTB1K6N06KS6R , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 , MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , IRFP450 , MTB23C04J4 , MTB24B03Q8 , MTB25A04Q8 , MTB25N04J3 , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 .

History: WMQ15DN04TS

 

 
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