MTB22N04J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTB22N04J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTB22N04J3 MOSFET
MTB22N04J3 Datasheet (PDF)
mtb22n04j3.pdf
Spec. No. : C594J3 Issued Date : 2010.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB22N04J3 ID 15A22m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB22N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS
Otros transistores... MTB1D7N03E3 , MTB1K6N06KS6R , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 , MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , NCEP15T14 , MTB23C04J4 , MTB24B03Q8 , MTB25A04Q8 , MTB25N04J3 , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 .
History: IPP023NE7N3G | STP11NM60N | STP11N65M2 | STP6NB90 | STP6635GH
History: IPP023NE7N3G | STP11NM60N | STP11N65M2 | STP6NB90 | STP6635GH
Liste
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