MTB22N04J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB22N04J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTB22N04J3 datasheet

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MTB22N04J3

Spec. No. C594J3 Issued Date 2010.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB22N04J3 ID 15A 22m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB22N04J3 TO-252 G D S G Gate D Drain S S

Otros transistores... MTB1D7N03E3, MTB1K6N06KS6R, MTB20A03Q8, MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, NCEP15T14, MTB23C04J4, MTB24B03Q8, MTB25A04Q8, MTB25N04J3, MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8