MTB22N04J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB22N04J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTB22N04J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB22N04J3 даташит

 ..1. Size:340K  cystek
 mtb22n04j3.pdf pdf_icon

MTB22N04J3

Spec. No. C594J3 Issued Date 2010.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTB22N04J3 ID 15A 22m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB22N04J3 TO-252 G D S G Gate D Drain S S

Другие IGBT... MTB1D7N03E3, MTB1K6N06KS6R, MTB20A03Q8, MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, NCEP15T14, MTB23C04J4, MTB24B03Q8, MTB25A04Q8, MTB25N04J3, MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8