MTB22N04J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTB22N04J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB22N04J3
MTB22N04J3 Datasheet (PDF)
mtb22n04j3.pdf
Spec. No. : C594J3 Issued Date : 2010.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB22N04J3 ID 15A22m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB22N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS
Другие MOSFET... MTB1D7N03E3 , MTB1K6N06KS6R , MTB20A03Q8 , MTB20C03J4 , MTB20N03AQ8 , MTB20N03Q8 , MTB20N06J3 , MTB20P03L3 , NCEP15T14 , MTB23C04J4 , MTB24B03Q8 , MTB25A04Q8 , MTB25N04J3 , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 .
History: STP11NM60N | STP6635GH | STP11N65M2 | IPP023NE7N3G | STP6NB90
History: STP11NM60N | STP6635GH | STP11N65M2 | IPP023NE7N3G | STP6NB90
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273


