MTB24B03Q8 Todos los transistores

 

MTB24B03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB24B03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTB24B03Q8 Datasheet (PDF)

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MTB24B03Q8

Spec. No. : C587Q8 Issued Date : 2011.01.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.26 Page No. : 1/9 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB24B03Q8 ID -8A18m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-8A 27m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-6A Description The MTB24B03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, r

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History: WSF20P03

 

 
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