MTB24B03Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB24B03Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTB24B03Q8 datasheet

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MTB24B03Q8

Spec. No. C587Q8 Issued Date 2011.01.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.26 Page No. 1/9 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB24B03Q8 ID -8A 18m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-8A 27m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-6A Description The MTB24B03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, r

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