MTB24B03Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB24B03Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTB24B03Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB24B03Q8 даташит

 ..1. Size:310K  cystek
 mtb24b03q8.pdf pdf_icon

MTB24B03Q8

Spec. No. C587Q8 Issued Date 2011.01.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.10.26 Page No. 1/9 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB24B03Q8 ID -8A 18m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-8A 27m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-6A Description The MTB24B03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, r

Другие IGBT... MTB20A03Q8, MTB20C03J4, MTB20N03AQ8, MTB20N03Q8, MTB20N06J3, MTB20P03L3, MTB22N04J3, MTB23C04J4, STP80NF70, MTB25A04Q8, MTB25N04J3, MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8, MTB30N06V8, MTB30P06J3