Справочник MOSFET. MTB24B03Q8

 

MTB24B03Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB24B03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB24B03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtb24b03q8.pdf pdf_icon

MTB24B03Q8

Spec. No. : C587Q8 Issued Date : 2011.01.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.10.26 Page No. : 1/9 Dual P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB24B03Q8 ID -8A18m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-8A 27m(typ.)RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-6A Description The MTB24B03Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, r

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUK207-50X | STD15N06L-1 | BLF6G15L-250PBRN | 2N4338 | SI1402DH | MTNK3W3 | FDP12N50

 

 
Back to Top

 


 
.