MTB35N04J3 Todos los transistores

 

MTB35N04J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB35N04J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB35N04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
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MTB35N04J3

Spec. No. : C453J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB35N04J3 ID 12A35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

 7.1. Size:104K  motorola
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MTB35N04J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB35N06ZL/DProduct PreviewMTB35N06ZLHDTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 26 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTU2N80P | SVSP14N60TD2 | MEE7816AS-G

 

 
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